歡迎來到計算材料與奈米傳輸實驗室!我們的研究聚焦在奈米尺度下自旋電子的傳輸行為,研究的題材包含:磁性穿隧接面中自旋選擇通道效應、新穎有機磁穿隧接面中的自旋傳輸特性、磁性記憶體的自旋力矩(spin torque)、全氧化物材料的磁傳輸特性。研究的方法的有第一原理計算(first-principles calculation)、非平衡格林函數方法(non-equilibrium Green’s function method, NEGF)、緊束縛模型(Tight-binding model)等等。計算模擬的部分,我們除了利用現有的軟體來計算,同時也開發新的演算法來計算第一原理下,材料的自旋力矩特性(詳見JunPy頁面)。傳輸理論的部分,我們利用緊束縛模型與NEGF方法建立異質接面材料的傳輸模型,並推導材料與自旋力矩的關聯。